Matrice de photodiodes en GaAs XXSJ-10-G6A-35H-K4

PINchip

Cette puce photodiode PAM-4 à haut débit 4X28Gbps NRZ/4X56Gbps est une structure PIN 1x4 en GaAs illuminée par le haut. Les caractéristiques sont une haute responsabilité, une faible capacité et un faible courant d'obscurité, la taille de la zone active est de Φ35μm, le signal et les deux pads de liaison à la terre sont conçus sur le dessus de la puce pour faciliter le câblage, l'application dans 850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4 communication optique de données à courte portée. 1. Zone active de Φ35μm. 2. Faible courant d'obscurité 3. Conception du plot de liaison Masse-Signal-Masse. 4. Pas de la puce : 250μm. 5. test et inspection à 100 %. 6. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont passé les exigences de qualification telles que spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE. 7. Conforme à la directive RoHS2.0 (2011/65/EU). Applications 1. 200G SR4 2. Communication parallèle par fibre optique multimode