Puce à photodiode XSJ-10-M-2000

InGaAsInP

Cette puce de photodiode PIN pour moniteur InGaAs/InP éclairée par le haut présente une grande zone active, qui est une structure planaire, une anode sur le dessus et une cathode sur l'arrière. La taille de la zone active est de Φ2000μm, et la réactivité élevée dans la région de longueur d'onde de 980nm à 1620nm. Application à la surveillance de la puissance optique émise par la face arrière de diverses LD. 1. Structure planaire sur substrat InP n+ avec contact anodique supérieur. 2. Surface active de Φ2000μm. 3. Haute responsabilité. 4. Faible courant d'obscurité. 5. Faible tension de polarisation. 6. -plage de fonctionnement de 40℃ à 85℃. 7. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par 8. Telcordia -GR-468-CORE. 8. test et inspection à 100 %. 9. Des dimensions de puces personnalisées sont disponibles. Applications 1. Contrôle de la puissance des lasers à facette arrière.