Puce à photodiode XSJ-10-M-200-01

InGaAsInP

Cette puce de photodiode PIN pour moniteur InGaAs/InP éclairée par le haut présente une grande zone active, qui est une structure planaire, une anode en haut et une cathode en bas. La taille de la zone active est de Φ200μm, et la réactivité est élevée dans la région de longueur d'onde de 980nm à 1620nm. Application à la surveillance de la puissance optique émise par la face arrière de diverses LD. 1. Structure planaire sur substrat InP n+ avec contact anodique supérieur. 2. Surface active de Φ200μm. 3. Haute responsabilité. 4. Faible courant d'obscurité. 5. Faible tension de polarisation. 6. -plage de fonctionnement de 40℃ à 85℃. 7. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE. 8. test et inspection à 100 %. 9. Des dimensions de puces personnalisées sont disponibles. Applications 1. Contrôle de la puissance des lasers à facette arrière.