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Puce à photodiode XSJ-10-D6-20
InGaAsInP

Puce à photodiode - XSJ-10-D6-20 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
Puce à photodiode - XSJ-10-D6-20 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
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Caractéristiques

Spécifications
à photodiode, InP, InGaAs

Description

Cette puce photodiode 10Gbps à haut débit est de structure InGaAs/InP PIN et éclairée par le haut. Les caractéristiques sont la haute responsabilité, la faible capacité, le faible courant d'obscurité, la taille de la zone active est de Φ50μm, l'anode et la cathode sont collées sur le dessus pour le câblage de l'emballage TO-CAN. Application dans les récepteurs 10Gbps. 1. Zone active de Φ20μm. 2. Structure de plots de liaison sol-signal-sol (GSG) sur le dessus. 3. Faible courant d'obscurité, faible capacité, haute responsabilité. 4. Taux de datation jusqu'à 25Gbps. 5. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE. 6. test et inspection à 100 %. 7. Conforme à la directive RoHS2.0 (2011/65/EU). Applications 1. 100 Gigabit Ethernet 2. liaisons analogiques 20GHz. 3. Tests et mesures à grande vitesse.

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.