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Puce à photodiode S570
InGaAsInP

Puce à photodiode - S570 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
Puce à photodiode - S570 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
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Caractéristiques

Spécifications
à photodiode, InP, InGaAs

Description

Le capteur optique de proximité est une puce photodiode à illumination supérieure InGaAs/InP, structure planaire, anode à l'avant, cathode à l'arrière, la taille de la zone active carrée est de 570um*570um, avec une ESD élevée, un faible courant d'obscurité et d'autres caractéristiques, a une réponse élevée dans la gamme de longueurs d'onde de 1300nm~1550nm. La réponse dans la gamme de longueurs d'onde de 300nm~750nm est très faible, ce qui résout le problème de la réception optique des écrans OLED. 1. Conception à haute décharge électrostatique. 2. Anode sur le dessus et cathode à l'arrière. 3. Faible courant d'obscurité. 4. Excellente réactivité et gain élevé. 5. surface active carrée de 570μm x 570μm 6. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE. Applications 1. Détection de la lumière ambiante. 2. Désactivation de l'écran tactile des téléphones portables.

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