La technologie de la chambre à plaques parallèles du nettoyeur plasma PSX307 offre une uniformité de gravure supérieure à celle des systèmes conventionnels par lots. Le nettoyage de la surface avant l'attachement du fil ou du flip-chip, l'activation de la surface et l'amélioration de la mouillabilité de l'underfill et de l'encapsulation du moule sont autant d'expériences à vivre.
La variante PSX307A prend en charge à la fois les processus au niveau de la plaquette et les processus traditionnels au niveau du substrat. Modification de la surface de la plaquette avant la couche d'isolation, après la couche de redistribution, la fixation de billes ou après le découpage en dés pour améliorer le processus de fixation de la matrice.
- Technologie des plaques parallèles permettant l'uniformité
- Substrat ou plaquette de 300 mm, avec ou sans cadre de découpe
- Moniteur de plasma breveté (en temps réel)
- Traçabilité du processus au niveau de l'unité
- Options d'argon, d'oxygène ou de gaz de traitement mélangés
Méthode de nettoyage - Méthode de rétro-sputage RF à plaques parallèles
Gaz pour la décharge électrique * - Ar [option : O2]
[*1]
Dimensions du substrat (mm) * - L 50 x L 20 à L 250 x L 75 [*2] y compris l'option de type S
L 50 x L 20 à L 330 x L 120 y compris l'option de type M
Épaisseur du support (mm) - 0,5 à 2,0
Dimensions (mm) / Masse * - L 930 x P 1 100 x H 1 450 / 555 kg
L 1 764 x P 1 100 x H 1 450 / 850 kg avec option type S
L 1 764 x P 1 100 x H 1 450 / 770 kg y compris l'option de type M
[*3]
Source d'alimentation * - AC monophasé 200 V, 2,00 kVA [pleine charge 5,00 kVA]
[*4]
Source pneumatique - 0,49 MPa ou plus, 6,5 L/min [A.N.R
Méthode de nettoyage - Méthode de rétro-sputérisation RF à plaques parallèles
Gaz pour la décharge électrique - Ar [Option : O2, O2 + He]
---