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Phototransistor NPN Metal Can TO18en silicium
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Caractéristiques
- Type
- NPN
- Autres caractéristiques
- en silicium
- Courant
0,01 mA, 0,2 mA, 1,65 mA
Description
Temps de chute
tf
8.0 µs
Temps de montée
tf
8.0 µs
Plage spectrale de la sensibilité typ.
λ10% min.
450 nm
λ10% max.
1100 nm
Zone sensible au rayonnement
A
0.11 mm² (en milliers de mètres carrés)
Angle du faisceau
∢
110 °
Dimension de l'appareil
l
5.35 mm
w
5.35 mm
h
3.3 mm
Température de fonctionnement
Dessus min.
-40 °C
Haut max.
80 °C
Domaines d'application
Industrie
Automatisation des usines
---
Catalogues
Infrared Components
62 Pages
SFH 464
14 Pages
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Photodetectors
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