Phototransistor en silicium OIT6C
SMD

Phototransistor en silicium - OIT6C - Optoi Microelectronics - SMD
Phototransistor en silicium - OIT6C - Optoi Microelectronics - SMD
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Caractéristiques

Autres caractéristiques
en silicium, SMD
Courant

1 mA

Tension

80 mV

Description

OIT6C Réseau de phototransistors à 12 canaux 0,60 mm le pitch optique sur les emballages plastiques des CMS Description générale L'OIT6C se compose de deux réseaux monolithiques de phototransistors au silicium. Les phototransistors ont un collecteur commun sur le substrat arrière, qui est lié à deux plots uniques et chaque émetteur est accessible à un plot spécifique. Le pas optique de la matrice est de 0,60 mm, le pas électrique du boîtier du LCC est de 1,27 mm. La surface active de chaque élément est de 0,20 x 0,45 mm2. Les avantages de ce produit sont la grande uniformité des capteurs en silicium, due à la construction monolithique et au processus microélectronique extrêmement contrôlé, la grande stabilité du signal et la grande sensibilité optique, due au revêtement antireflet déposé sur les zones du phototransistor. La méthode de conditionnement est orientée vers des applications industrielles difficiles, ce qui signifie une plage de température élevée, une grande stabilité dans le temps et une très grande uniformité des cellules de silicium. Demandes Codeurs optiques Codeurs incrémentaux Codeurs absolus 12 bits Récepteurs optiques Contrôle/conduite Caractéristiques Une grande uniformité des cellules de silicium Résine à haute transparence Gain élevé Trous de référence pour un montage précis 0.Pas optique de 6 mm Conforme à la directive RoHS _________________

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.