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Module transistors IGBT QP12W08S-37A
hybride

Module transistors IGBT - QP12W08S-37A - MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd. - hybride
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Caractéristiques

Type
IGBT
Autres caractéristiques
hybride
Courant

8 A

Tension

Min: -9 V

Max: 15 V

Description

QP12W08S-37A est un circuit d'attaque IGBT hybride intégré conçu avec un convertisseur DC-DC à isolation intégrée. Ce dispositif est un circuit de commande entièrement isolé, composé d'un amplificateur de commande de grille isolé de manière optimale et d'un convertisseur DC-DC isolé. Le circuit d'attaque de grille fournit une fonction de protection contre les défauts basée sur la détection de désaturation et la sortie de défaut. CARACTÉRISTIQUES  Alimentation DC-DC isolée intégrée ; topologie de commande à alimentation unique  Tension d'isolation élevée de 3750VAC  Fréquence du signal d'entrée jusqu'à 20kHz  Circuit de défaut intégré avec une broche pour le retour d'information sur le défaut  Signal d'entraînement ignoré pendant le temps de blocage, réinitialisation du circuit de défaut après la fin du temps de blocage  Temps de contrôle réglable du circuit de détection de défaut  Temps de coupure progressive de la protection réglable  Boîtier SIP IGBT apparié  IGBT série 600V (courant ≤600A)  IGBT série 1200V (courant ≤400A)  IGBT série 1700V (courant ≤200A) Applications  Onduleur universel  Système d'entraînement servo CA  Alimentation sans interruption (UPS)  Machine à souder électrique

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