Cette série de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) présente un courant de récupération inverse négligeable, une capacité de surtension élevée et une température de jonction maximale de 175 °C. Cette série de diodes est idéale pour les applications où l'on souhaite améliorer l'efficacité, la fiabilité et la gestion thermique.
Caractéristiques :
Qualifiée AEC-Q101
Coefficient de température positif pour un fonctionnement sûr et une mise en parallèle aisée
température de jonction maximale de 175 °C
Excellente capacité de surtension
Comportement de commutation extrêmement rapide, indépendant de la température
Pertes de commutation considérablement réduites par rapport aux diodes bipolaires Si
Applications :
Diodes d'amplification dans les étages PFC ou DC/DC
Alimentations à découpage
Alimentations sans interruption
Onduleurs solaires
Entraînements de moteurs industriels
Stations de charge pour véhicules électriques
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