Les diodes back-to-back SP1333 sont fabriquées à partir d'une technologie propriétaire d'avalanche de silicium. Ces diodes offrent un niveau élevé de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) pour les équipements électroniques. Le TVS SP1333 peut absorber en toute sécurité des décharges électrostatiques répétitives supérieures au niveau maximal de décharge de contact spécifié dans la norme internationale IEC 61000-4-2 (niveau 4, ±8kV de décharge de contact) sans dégradation des performances. La configuration dos à dos offre une protection ESD symétrique pour les lignes de données. En outre, le SP1333 offre une capacité de surtension de 5A 8/20 avec de faibles tensions de serrage.
ESD, IEC 61000-4-2, ±30kV contact, ±30kV air
EFT, IEC 61000-4-4, 40A (5/50ns)
Foudre, 5A (8/20 selon la définition de la 2e édition de la CEI 61000-4-5)
Faible capacité de 8pF (TYP @ VR=0V)
Faible courant de fuite de 1nA (TYP) à 3,3V
Faible encombrement 0201
Sans halogène, sans plomb et conforme à la directive RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL -1)
Applications :
Téléphones mobiles
Téléphones intelligents
Médical portable
MP3/PMP
Composants de navigation portables
Tablettes
Panneaux de petite taille
Terminaux de point de vente
---