croissance des cristaux
Pour la croissance par transport physique de vapeur (PVT) de monocristaux de SiC en vrac selon la méthode de Lely modifiée
D'autres applications sont possibles : Synthèse de matières premières SiC de haute pureté
SPÉCIFICATIONS DU PRODUIT
Caractéristiques les plus importantes
Four à induction, conception à chargement par le haut
croissance de cristaux de SiC en vrac de 4
Puissance de chauffage MF 30 kW
Fréquence de travail 8-10 kHz
Gaz de traitement Azote, Argon, Hydrogène, pression partielle 5 - 950 mbar
Chambre à vide/étanche par tube en verre double refroidi à l'eau
Système de pompe à vide pour un vide de 2 x 10-5 mbar avec pompe turbomoléculaire (685 l/s)
Isolation en feutre de graphite de haute pureté (purifié à l'halogène)
Nous rendons cela possible :
Linn High Therm est spécialisé dans l'adaptation de ses produits aux exigences de ses clients. N'hésitez pas à nous faire part de vos besoins en matière de modifications. Nous ferons tout ce qui est en notre pouvoir pour satisfaire vos souhaits.
Options standardisées possibles
Rotation et déplacement du creuset
Pyromètre de fond de creuset
Refroidissement d'urgence à l'eau
Logiciel d'aide au processus
Conception du chargeur de fond
Unité de refroidissement par circulation
Formation à la croissance des cristaux par un institut de recherche allemand renommé
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