Permet le procédé de recuit de contact et de substrat de GaN. Soutient des gaufrettes de 6 pouces et permet l'activation et l'oxydation en atmosphères de la charge-serrure environments/N2 de vide (LP).
Caractéristiques
Température de fonctionnement maximum : 1,200°C
Soutient un large éventail de tailles de gaufrette jusqu'à 6 pouces.
Un mécanisme automatique de rechange de gaufrette fournit le transfert de cassette-à-cassette.
L'appui de vide améliore des caractéristiques de recuit.
L'appui de charge-serrure de N2 permet le temps de rotation rapide.
Substrats de GaN de processus de boîte.
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