Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est un procédé qui utilise l'énergie du plasma pour accélérer les réactions chimiques à la surface de la plaquette afin de produire des films minces à des températures inférieures à 400°C. Le bombardement ionique énergétique pendant le dépôt peut être utilisé pour adapter les propriétés électriques et mécaniques des films. Les systèmes PECVD SPTS Delta™ sont utilisés pour une large gamme d'applications sur les marchés de l'emballage avancé, de la RF, de l'énergie, de la photonique et des MEMS, en particulier dans les applications où une faible température de traitement est requise. Le système Delta™ fxP cluster offre une bibliothèque complète de procédés pour une large gamme de films diélectriques et avec des températures de dépôt allant de 80°C à 400°C. Le système offre également des options de chambre de préchauffage à une ou plusieurs tranches pour le dégazage des substrats sensibles et une capacité de traitement des contacts de bord pour le dépôt de la face arrière des plaquettes.
- SiCN pour le collage hybride et SiO épais pour le remplissage des espaces inter-filières
- Doublures TSV et passivation des via-reveal
- Passivation SiN pour les puces de puissance avec option de faible puissance et de faible dommage pour le GaN
- Films de face arrière à basse température avec compensation de l'arc
- SiN très uniforme pour la passivation des condensateurs MIM et des dispositifs GaAs.
- RI accordé et films dopés pour la photonique active et passive
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