Machine d'inspection optique 29xx

pour wafer gravépour l'industrie électroniquehaute résolution

Les systèmes d'inspection des défauts par plasma à large bande 2965 et 2950 EP constituent des avancées en matière d'inspection optique des défauts, permettant de découvrir les défauts critiques pour le rendement sur les nœuds de conception de logique ≤5nm et de mémoire de pointe. Grâce à des technologies améliorées d'illumination plasma à large bande, telles que le mode Super-Pixel™ et des algorithmes de détection avancés, les inspecteurs 2965 et 2950 EP offrent la sensibilité requise pour capturer les défauts critiques sur une gamme de couches de processus, de types de matériaux et d'empilements de processus. Avec une bande de longueur d'onde qui permet de capturer les défauts critiques des nanofeuilles, le 2965 permet aux fabricants de puces de monter en puissance et de produire des puces de pointe avec une porte tout autour des architectures de transistors. Le 2950 EP comprend plusieurs innovations en matière de matériel, d'algorithme et de regroupement des défauts qui permettent la détection et la surveillance des défauts pour les dispositifs 3D NAND et DRAM. En tant que norme industrielle pour la surveillance en ligne, les 2965 et 2950 EP associent la sensibilité à la vitesse d'inspection optique des défauts de la plaquette, ce qui permet la découverte à la vitesse de la lumière™ - la combinaison de la découverte rapide des défauts et de la caractérisation complète des problèmes de défauts à un coût de possession optimal. - Source d'éclairage accordable DUV, UV, visible à large bande, avec un nouveau filtre spectral - Ouvertures optiques sélectionnables - Capteur à faible bruit - Mode de test d'inspection Super-Pixel™ pour un débit élevé au niveau de la sensibilité - Algorithmes avancés de détection des défauts, y compris MCAT - iDO™ 3.0 avec des techniques avancées d'apprentissage automatique pour le regroupement des défauts et la suppression des nuisances - Nouveaux algorithmes pour la capture des défauts critiques d'intérêt sur les bords des cellules de mémoire et pour le binning des défauts aux étapes critiques du processus de mémoire