Transistor à effet de champ PDHS545-NB195-S03-RA
IGBTIGBT en tranchéede puissance

transistor à effet de champ
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Caractéristiques

Type
IGBT, IGBT en tranchée, à effet de champ
Technologie
de puissance

Description

Prise de courant à haute intensité Haute température ℃ 5.pas de 45 mm Angle droit Faible dégazage Il s'agit d'une prise qui peut correspondre à un arrangement de carte PC avec des restrictions de hauteur en tournant l'appareil sur le côté. ● Prend en charge divers boîtiers et supporte les environnements à haute température. ● Peut être utilisé à diverses fins, telles que l'évaluation des mesures, l'inspection et le montage. ● Une douille à broche ronde très fiable est utilisée pour la partie contact. TO-3、TO-247、TO-264 etc. Rigidité diélectrique - Résistance d'isolation - Douille - Laiton, placage Au sur Ni Contact - Alliage de cuivre haute température, revêtement Au sur Ni Isolant - Thermoplastique haute température * Lors de l'installation du dissipateur thermique à l'arrière du circuit imprimé ou de l'appareil, veuillez faire attention à la position et aux dimensions. ** Si vous montez le socle seul, il sera plus fin que l'appareil, soyez donc prudent. Réglez l'appareil à utiliser, le dissipateur thermique, etc., puis ajustez la hauteur avant de procéder au montage *** Le dissipateur thermique peut également être monté avec la face arrière de l'appareil (côté dissipation thermique) orientée vers le haut.

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VIDÉO

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.