Module transistors IGBT

Module transistors IGBT - IXYS
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Caractéristiques

Type
IGBT

Description

Pinte IGBTs Dispositifs de # : VCES : 300V à 1200V IC de # (90) : 2A à 200A Conduction de # et pertes à gain élevé et basses de commutation. Classes : A2, A3, B2, B3, C2 # et C3 A2 : C.C à 10kHz. B2, B3 : 15kHz à 40kHz C2 : 40kHz à 100kHz # C3 : 50kHz -150kHz. Types polaires d'A3-Class IGBT/Diode, chaîne de fréquence médiane (15KHz-40KHz) # C3-300 V IGBT, pinte à grande vitesse pour 50kHz-150kHz commutant avec ou sans la diode ultra-rapide disponible en parallèle

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.