Transistor IGBT IKP39N65ES5

de puissancede commutation

L'IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 à commutation dure en boîtier TO-220 à faible encombrement s'adresse aux applications commutant entre 10 kHz et 40 kHz pour offrir une densité de courant élevée, un rendement élevé, des cycles de mise sur le marché plus rapides, une réduction de la complexité de la conception des circuits et une optimisation des coûts de la nomenclature des circuits imprimés. Résumé des caractéristiques Très faible VCEsat de 1,45 V à 25°C courant d'impulsion 4 fois Ic (100°C Tc) Caractéristiques de chute de courant douces sans courant de queue Dépassement de tension faible et symétrique Tension de grille sous contrôle (pas d'oscillation). Pas de risque de mise sous tension non désirée de l'appareil et pas de nécessité de blocage de la grille Température de jonction maximale Tvj = 175°C Qualifié selon les normes JEDEC Avantages Densité de puissance la plus élevée dans une empreinte TO-220 Circuits de serrage VCEpeak non nécessaires Pas besoin de composants de bridage de la grille Bon comportement EMI Excellent pour la mise en parallèle Applications Systèmes de stockage d'énergie Chargement des véhicules électriques Alimentations sans interruption (ASI)