Transistor MOSFET BSC027N10NS5

de puissance

Description : Les MOSFET BiC d'Infineon (OptiMOS™) dans l'offre SuperSO8 élargissent la gamme de produits OptiMOS™ 3 et 5 et permettent une plus grande densité de puissance ainsi qu'une plus grande robustesse, répondant ainsi au besoin de réduction des coûts du système et d'augmentation des performances. La faible charge de récupération inverse (Qrr) améliore la fiabilité du système en réduisant considérablement le dépassement de tension, ce qui minimise le besoin de circuits d'amortissement, ce qui réduit les coûts et les efforts d'ingénierie. Caractéristiques principales Le RDS(on) le plus bas permet une densité de puissance et une efficacité maximales Température de fonctionnement plus élevée jusqu'à 175°C pour une fiabilité accrue Faible RthJC pour un excellent comportement thermique Réduction des frais de recouvrement inversés (Qrr) Principaux avantages Température inférieure à pleine charge Moins de parallèles Dépassement réduit Augmentation de la densité de puissance du système Taille plus petite Réduction des coûts du système Réduction des coûts d'ingénierie et de l'effort de travail Applications visées Serveur Télécom Outils électriques Entraînements basse tension Applications audio de classe D