Transistor MOSFET IPD650P06NM

de puissancede commutationà avalanche

Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ciblée pour les applications de gestion de batterie, de commutation de charge et de protection contre l'inversion de polarité. Le principal avantage d'un dispositif à canal P est la réduction de la complexité de conception dans les applications de moyenne et faible puissance. Son interface facile avec le MCU, sa commutation rapide ainsi que sa robustesse aux avalanches le rendent adapté aux applications exigeantes de haute qualité. Il est disponible en niveau normal et logique, avec une large plage de RDS(on) et améliore l'efficacité à faible charge grâce à son faible Qg. Résumé des caractéristiques : Large plage de RDS(on) Disponibilité en niveau normal et en niveau logique Avantages : Interface facile avec le MCU Efficacité améliorée à faible charge grâce à un faible Qg Commutation rapide Robustesse de l'avalanche Applications potentielles Batterie Consommateurs Automatisation industrielle Entraînements industriels