Transistor MOSFET BSC012N06NS

de puissanceaudio

Les MOSFET OptiMOS™ BiC d'Infineon en boîtier SuperSO8 étendent le portefeuille de produits OptiMOS™ 3 et 5 et permettent une densité de puissance plus élevée en plus d'une robustesse améliorée, répondant ainsi aux besoins de réduction du coût des systèmes et d'augmentation des performances. La faible charge de récupération inverse (Qrr) améliore la fiabilité du système en fournissant une réduction significative de la surtension, ce qui minimise le besoin de circuits snubber, ce qui entraîne une réduction des coûts et des efforts d'ingénierie. Caractéristiques principales Le RDS(on) le plus bas permet d'obtenir une densité de puissance et une efficacité maximales Température de fonctionnement plus élevée, jusqu'à 175°C, pour une fiabilité accrue Faible RthJC pour un excellent comportement thermique Charge de récupération inverse plus faible (Qrr) Principaux avantages Température de pleine charge plus basse Moins de mise en parallèle Réduction du dépassement Augmentation de la densité de puissance du système Taille réduite Réduction du coût du système Réduction des coûts et des efforts d'ingénierie Applications cibles Serveur Télécom Outils électriques Entraînements à basse tension Applications audio de classe D