Transistor MOSFET BSC076N04ND
de puissance

Transistor MOSFET - BSC076N04ND - Infineon Technologies AG - de puissance
Transistor MOSFET - BSC076N04ND - Infineon Technologies AG - de puissance
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Caractéristiques

Type
MOSFET
Technologie
de puissance
Courant

20 A

Tension

40 V

Description

Double Super SO8 pour une densité de puissance élevée (encombrement réduit) Résistance thermique supérieure Température de fonctionnement élevée jusqu'à 175°C Immunité élevée contre le passage de la lumière grâce à Qgd/Qgs<0,8 Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS Applications cibles : SMPS Chargement sans fil par induction Commutateurs de charge Systèmes de gestion de la batterie Variateurs BT

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