Transistor MOSFET BSC076N04ND
de puissance

transistor MOSFET
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Caractéristiques

Type
MOSFET
Technologie
de puissance
Courant

20 A

Tension

40 V

Description

Double Super SO8 pour une densité de puissance élevée (encombrement réduit) Résistance thermique supérieure Température de fonctionnement élevée jusqu'à 175°C Immunité élevée contre le passage de la lumière grâce à Qgd/Qgs<0,8 Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS Applications cibles : SMPS Chargement sans fil par induction Commutateurs de charge Systèmes de gestion de la batterie Variateurs BT

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.