Transistor MOSFET BSC112N06LD
de puissance

transistor MOSFET
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Caractéristiques

Type
MOSFET
Technologie
de puissance
Courant

57 A

Tension

60 V

Description

Avantages : Boîtier double Super SO8 pour une densité de puissance élevée (empreinte la plus petite) Résistance thermique supérieure Température de fonctionnement élevée jusqu'à 175°C Immunité élevée contre les projections grâce à un Qgd/Qgs<0,8 Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS Applications potentielles SMPS Chargement sans fil par induction Commutateurs de charge Systèmes de gestion de la batterie Variateurs BT

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.