Transistor MOSFET BSZ024N04LS6
de puissancede commutationpar résistance

Transistor MOSFET - BSZ024N04LS6 - Infineon Technologies AG - de puissance / de commutation / par résistance
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Caractéristiques

Type
MOSFET
Technologie
de puissance, de commutation
Autres caractéristiques
par résistance
Courant

130 A

Tension

40 V

Description

La famille de MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 est optimisée pour une variété d'applications et de circuits, tels que le redressement synchrone dans les alimentations à découpage (SMPS) dans les serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent aux concepteurs d'augmenter l'efficacité, ce qui facilite la conception thermique et réduit la mise en parallèle, d'où une réduction du coût du système. Caractéristiques principales Par rapport aux produits alternatifs : RDS(on) réduit de 30% Amélioration de 29 % du Qg x RDS(on) de la FOM Amélioration du FOM Qgd x RDS(on) de 46% Optimisé pour le redressement synchrone Convient aux circuits ORing Conforme à la directive RoHS - sans halogène Classé MSL1 Principaux avantages Efficacité maximale du système Moins de mise en parallèle nécessaire Densité de puissance accrue Très faible dépassement de tension Réduction de la nécessité d'un circuit snubber Réduction du coût du système Applications cibles SMPS Serveur Télécom Chargeur Pilotes Multicoptère Chargement sans fil

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