Le MOSFET à superjonction CoolMOS™ P7 est le successeur de la série CoolMOS™ P6 de 600V. Elle continue d'équilibrer le besoin d'un rendement élevé et la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de sa catégorie et la charge de grille intrinsèquement faible (QG) de la plateforme CoolMOS™ de 7e génération garantissent son rendement élevé.
Résumé des caractéristiques :
Efficacité
P7 permet d'excellentes FOM RDS(on)xEoss et RDS(on)xQG
Facilité d'utilisation
Diode ESD intégrée à partir de 180mN RDS(on)s
Résistance de grille intégrée RG
Diode à corps robuste
Large gamme de boîtiers à trous débouchants et à montage en surface
Des pièces de qualité standard et de qualité industrielle sont disponibles
Avantages :
Efficacité
Les excellents FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss permettent une plus grande efficacité
Facilité d'utilisation
Facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication en empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD)
Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET
Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et LLC
Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode de corps observée dans la topologie LLC
Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances de sortie
Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles
Applications potentielles
Alimentation pour téléviseur
SMPS industriel
Serveur
Télécommunications
Eclairage
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