Module de mémoire DRAM H5UG7HME03X020R

DDR5

DRAM ultime pour les nouveaux horizons de la mémoire haut de gamme La première HBM3 au monde développée en octobre 2021 Quinze mois seulement après le lancement de la production de masse de la HBM2E, SK hynix a consolidé son leadership dans le domaine des DRAM haute vitesse en développant une HBM3, la toute dernière mémoire à large bande passante pour les technologies de pointe dans les centres de données, les superordinateurs et l'intelligence artificielle. Dissipation thermique avancée La HBM3 fonctionne à des températures plus basses que la HBM2E au même niveau de tension de fonctionnement, ce qui améliore la stabilité de l'environnement du système de serveur. À des températures de fonctionnement équivalentes, SK hynix HBM3 peut prendre en charge des piles de 12 disques, soit une capacité 1,5 fois supérieure à celle de HBM2E, et des vitesses d'E/S de 6 Gbps pour une bande passante 1,8 fois supérieure. Avec une plus grande capacité de refroidissement pour les mêmes conditions de fonctionnement, SK hynix concrétise son initiative Memory ForEST*. Accroissement des performances SK hynix HBM3, avec une capacité 1,5 fois supérieure à celle de HBM2E pour 12 puces DRAM empilées à la même hauteur totale de boîtier, est adapté aux applications à forte capacité telles que l'IA et le HPC. Un seul cube peut produire jusqu'à 819 Go/s de bande passante, tandis qu'un SiP (System-in-Package) avec six puces HBM sur le même silicium peut atteindre jusqu'à 4,8 To/s pour répondre aux exigences de l'exascale. ECC sur puce SK hynix HBM3 est également doté d'un ECC (Error Correcting Code) on-die robuste et conçu sur mesure, qui utilise des bits de parité pré-alloués pour vérifier et corriger les erreurs dans les données reçues. Le circuit intégré permet à la DRAM de corriger elle-même les erreurs au sein des cellules, ce qui améliore considérablement la fiabilité du dispositif.