Le disiliciure de cobalt (CoSi2) a une faible résistivité et une bonne stabilité thermique. Il est actuellement largement utilisé comme contact dans les circuits intégrés à grande échelle, et le CoSi2 a une structure cristalline similaire à celle du Si, de sorte que le CoSi2 épitaxial peut être formé sur un substrat de Si /Si, utilisé pour étudier les caractéristiques d'interface du silicium métallique épitaxial.
Poids moléculaire : 115.104
Densité : 4,9 g/cm3
Couleur:gris
Point de fusion:1326 °C
Point d'ébullition:5100ºC
EINECS (N° EC):234-616-8
Le disiliciure de cobalt (CoSi2) présente une faible résistivité et une bonne stabilité thermique. Il est actuellement largement utilisé comme contact dans les circuits intégrés à grande échelle, et le CoSi2 a une structure cristalline similaire à celle du Si, ainsi le CoSi2 épitaxial peut être formé sur un substrat de Si /Si structure, utilisé pour étudier les caractéristiques d'interface du silicium métallique épitaxial.
1.Haute pureté : la plus haute pureté peut atteindre 99,99%, XRD ne détecte aucune phase d'impureté;
2.Distribution concentrée : distribution de taille de particule normale standard, pas de bimodal ou multimodal.
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