Le GR-511F peut contrôler les gaz utilisés pour refroidir la face arrière des plaquettes qui sont fixées en position par un système de mandrin électrostatique.
La stabilité et la précision du GR-511F le rendent idéal pour contrôler le débit d'hélium et d'argon dans les systèmes de refroidissement des plaquettes.
CARACTÉRISTIQUES
Contrôle de la pression avec plus de stabilité et de précision
Capteur de débit massique (option)
Compatible avec divers raccords
Conformité RoHS
Exemple d'application
Dans l'exemple ci-dessous, le GR-511F contrôle les gaz utilisés pour refroidir la face arrière des wafers qui sont fixés en position par un système de serrage électrostatique.
type de vanne - C : Normalement fermée
Intégrité des fuites - ≤ 7 × 10-11 Pa-m3 /s (He)
Pression de fonctionnement maximale - 300 kPa (A)
Résistance à la pression - 350 kPa (A)
Température de fonctionnement - 5-50 °C (précision garantie : 15-40 °C)
Alimentation - +15 VDC±5 %, 250 mA -15 VDC±5 %, 250 mA
Consommation électrique - 7,5 VA
Interface - Analogique
Gaz *1 - He, Ar, N2
Raccords standard - 1/4 pouce VCR ou équivalent
Pression pleine échelle - 1,333 kPa (A) (10 Torr), 2,666 kPa (A) (20 Torr),
6.666 kPa (A) (50 Torr)
Plage de contrôle de la pression - 1-100 % de l'E.M.
Précision de la pression *2 - ±0,5 % de l'E.M.
Coefficient de température du zéro - ±0,04 % de l'E.M./°C
Coefficient de température de la plage de mesure - ±0,04 % E.M./°C
Réponse *3 - ≤ 1 sec
Signal de réglage de la pression - 0,1-10 VDC (1-100 %F.S.) Impédance d'entrée ≥ 1 MΩ
Option:0,05-5 VDC (1-100 %F.S.) Impédance d'entrée≥ 1 MΩ
Signal de sortie de pression - 0-10 VDC (0-100 %F.S.) Résistance minimale 2 kΩ
Option:0-5 VDC (0-100 %F.S.) Résistance minimale 2 kΩ
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