Microscope électronique NP6800
pour analysede mesurehaute résolution

Microscope électronique - NP6800 - Hitachi High-Tech Europe GmbH - pour analyse / de mesure / haute résolution
Microscope électronique - NP6800 - Hitachi High-Tech Europe GmbH - pour analyse / de mesure / haute résolution
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Caractéristiques

Type
électronique
Applications
pour analyse, de mesure
Autres caractéristiques
haute résolution, 3 axes, piézoélectrique, pour nanotechnologie, de haute précision
Poids

990 kg
(2 182,6 lb)

Largeur

1 190 mm
(46,9 in)

Hauteur

1 800 mm
(70,9 in)

Description

Le Hitachi NP6800 est un système de palpage dédié basé sur le MEB et conçu pour répondre aux besoins analytiques des dispositifs semi-conducteurs à nœud de conception de 10 nm et au-delà. L'actionneur piézoélectrique de précision est équipé de mouvements de sonde sur les axes X, Y et Z, ce qui permet de contrôler les sondes avec une grande précision pour mesurer les caractéristiques électriques d'un seul transistor MOS. Le concept de conception consistait à créer un système de palpage facile à utiliser (comme un système de palpage optique) tout en conservant la même facilité d'utilisation, même dans un environnement sous vide, grâce à notre conception intuitive de l'utilisation des palpeurs. - Ce système de sondage basé sur le MEB est utilisé pour analyser les défauts et les défaillances qui peuvent apparaître au cours du processus de fabrication de tout dispositif semi-conducteur à l'échelle nanométrique. - Le NP6800 Nano-Prober utilise une source d'électrons à émission de champ froid optimisée, un système à huit sondes, une platine à température contrôlée de -40 F à 302 F (-40 deg. à 150 deg.), un système de mesure AC (en option) pour la détection de la résistance de grille, un système EBAC pour la localisation des défauts de court-circuit et d'ouverture, et des unités d'échange de sondes et d'échantillons pour le plus haut débit possible. - Le NP6800 Nano-Prober a été conçu comme un système de nano-probing dédié non seulement au fonctionnement à haut débit, mais aussi aux mesures de haute stabilité des dispositifs semi-conducteurs à l'échelle nanométrique. Le système est capable d'évaluer les caractéristiques électriques, l'EBAC, l'EBIC, l'impulsion IV et les exigences de température des dispositifs à l'échelle nanométrique.

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