Système de préparation d'échantillons automatique ArBlade 5000 / IM5000-CTC
pour SEMfraisage par faisceaux d'ionsde refroidissement

Système de préparation d'échantillons automatique - ArBlade 5000 / IM5000-CTC - Hitachi High-Tech Europe GmbH - pour SEM / fraisage par faisceaux d'ions / de refroidissement
Système de préparation d'échantillons automatique - ArBlade 5000 / IM5000-CTC - Hitachi High-Tech Europe GmbH - pour SEM / fraisage par faisceaux d'ions / de refroidissement
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Caractéristiques

Mode d'utilisation
automatique
Applications
pour SEM
Type de préparation
fraisage par faisceaux d'ions, de refroidissement
Configuration
benchtop

Description

ArBlade 5000 / IM5000 étend les capacités de coupe transversale de la série IM4000 II avec la possibilité d'étendre les coupes transversales à une largeur allant jusqu'à 10 mm, en fonction des besoins réels. Pour ce faire, l'échantillon est périodiquement déplacé latéralement pendant la coupe transversale dans la zone de traitement précédemment enregistrée, tout en restant dans la zone de focalisation optimale. Le traitement séquentiel de plusieurs positions individuelles est également possible en option ; le porte-échantillon multiple optionnel permet de traiter automatiquement jusqu'à 3 échantillons. L'ArBlade 5000 / IM5000 est équipé d'un canon à ions plus puissant avec un taux d'enlèvement de plus de 1 mm par heure. Avec l'ArBlade 5000-CTC, des coupes transversales cryogéniques de largeurs variables sont également possibles à des températures de traitement définissables jusqu'à -100 °C. Caractéristiques du produit : - Canon à ions de type Penning unique, robuste et facile à entretenir, avec contrôle indépendant du courant du faisceau et de la tension d'accélération. Permet d'obtenir des faisceaux d'ions intensifs à toutes les tensions d'accélération (0-8 kV) - Les largeurs de section peuvent être sélectionnées de manière flexible en déplaçant périodiquement l'échantillon par rapport au faisceau d'ions, de 1 mm à 10 mm de large - La profondeur de traitement de la section transversale dans le Si avec une saillie de 100µm au-dessus du masque, une oscillation de la platine de +/-30°, est de 1000µm par heure ou plus - Le polissage de surface peut être effectué à des angles d'inclinaison de 0° à 90°, l'angle pouvant être modifié au cours du processus

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