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Transistor IGBT 5SN seriesde puissancede commutation
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de puissance, de commutation
- Courant
Min: 150 A
Max: 3 600 A
- Tension
1 200 V, 1 700 V, 3 300 V, 4 500 V, 6 500 V
Description
Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT HiPak à haute puissance offrent de faibles pertes combinées à une performance de commutation douce et une zone d’opération sûre (ZOS) record. Les nouveaux modules IGBT 62Pak et LoPak à commutation rapide moyenne puissance offrent les pertes de commutation les plus faibles, un fonctionnement complet à 175 °C avec ZOS carrée complète et un ensemble standard permettant un remplacement par insertion.
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