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Spectromètre quadripolaire ToF-qSIMS
de masse à ionisation secondairede mesurepour l'analyse

Spectromètre quadripolaire - ToF-qSIMS - Hiden Analytical - de masse à ionisation secondaire / de mesure / pour l'analyse
Spectromètre quadripolaire - ToF-qSIMS - Hiden Analytical - de masse à ionisation secondaire / de mesure / pour l'analyse
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Caractéristiques

Type
quadripolaire, de masse à ionisation secondaire
Domaine
pour l'analyse, de mesure
Configuration
mobile
Type de détecteur
hyperspectral

Description

Système SIMS quadrupolaire à temps de vol innovant Le système TOF-qSIMS de Hiden est conçu pour les applications d'analyse de surface et de profilage en profondeur d'une large gamme de matériaux, notamment les polymères, les produits pharmaceutiques, les supraconducteurs, les semi-conducteurs, les alliages, les revêtements optiques et fonctionnels et les diélectriques, avec des mesures de composants à l'état de traces jusqu'à des niveaux inférieurs à ppm. Analyse de surface Ingénierie des couches minces et des surfaces Science des surfaces Nanotechnologie Piles à combustible Le nouvel analyseur TOF (time of flight) de Hiden améliore le SIMS pour offrir à l'utilisateur le meilleur de la gamme dynamique du SIMS quadripolaire haute performance, ainsi que les avantages de la collecte de données en parallèle et de l'analyse de fragments moléculaires du SIMS à temps de vol (TOF-SIMS). La capacité TOF-qSIMS permet l'imagerie hyperspectrale pour une analyse détaillée des matériaux à résolution spatiale. Le système TOF-qSIMS offre les capacités complètes du TOF-SIMS statique et le profilage en profondeur à haute dynamique du SIMS quadripolaire. Entièrement intégré et optimisé pour l'analyse SIMS haute performance, le système TOF-qSIMS Workstation comprend une chambre UHV multiport, un analyseur TOF-SIMS, l'analyseur SIMS quadripolaire MAXIM de Hiden, un canon à ions primaires IG20, un canon à ions métalliques Cs et un porte-échantillon conçu pour s'adapter à la plus large gamme d'échantillons. Le mode SNMS à haute sensibilité est inclus pour l'analyse quantitative des films minces métallurgiques, des oxydes conducteurs et non-conducteurs et d'autres matériaux d'alliage et revêtements. Les installations pour l'amélioration du SIMS, y compris l'inondation d'oxygène, la neutralisation de la charge électronique et la cuisson sous vide, sont incluses en standard. L'option logicielle SIMS Mapper PC permet de cartographier la zone de l'échantillon en 2D et 3D.

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.