Spectromètre de masse à ionisation secondaire SIMS Workstation

pour l'analysemobilede grande sensibilité

Système d'analyse de surface UHV pour le profilage en profondeur de couches minces Hiden Analytical propose une instrumentation extrêmement polyvalente et à haute sensibilité pour l'analyse SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires) dynamique et statique à haute performance, permettant d'atteindre de nouveaux niveaux de précision dans des applications de pointe. Avec une gamme étendue et la capacité d'acquérir et d'identifier les ions secondaires positifs (+ve) et négatifs (-ve), la station de travail SIMS est une solution complète pour l'analyse de la composition et les applications de profilage en profondeur. Pour l'analyse simultanée des ions +ve et -ve dans un ensemble SIMS complet, Hiden Analytical a également développé la station de travail SIMS innovante Hi5. Vous trouverez plus d'informations dans notre documentation ci-dessous. La spectrométrie de masse d'ions secondaires, ou SIMS, est l'une des techniques les plus sensibles jamais mises au point pour étudier les couches superficielles d'un matériau, depuis des profondeurs de plusieurs centaines de nanomètres (nm) jusqu'à une seule couche atomique. Elle permet d'obtenir des données sur la composition jusqu'à des parties par milliard (ppb) et est compatible avec tout matériau pouvant être testé de manière fiable dans des conditions de vide. Par conséquent, les instruments SIMS sont couramment utilisés pour analyser les céramiques, les métaux, les matériaux organiques, les polymères, les semi-conducteurs, etc. Cette technique se divise en deux méthodologies distinctes : l'ISSM dynamique et l'ISSM statique. Chacune d'entre elles utilise un faisceau d'ions primaires qui percute un échantillon dans des conditions de vide, provoquant l'ablation de volumes extrêmement faibles de matière à la surface - une fraction de cette matière éjectée sera ionisée.