Photodiode silicium S series

infrarougeUV

Pour l'UV et le visible, photométrie de précision ; sensibilité réduite dans l'IR proche Caractéristiques - Haute sensibilité dans l'UV : QE＝75 % (λ=200 nm) - Sensibilité dans l'IR proche supprimée - Faible courant d'obscurité - Haute fiabilité Spécifications - Surface photosensible : 1,1 × 1,1 mm - Nombre d'éléments : 1 - Emballage : Métal - Catégorie d'emballage : TO-18 - Refroidissement : Non refroidi - Tension inverse (max.) : 5 V - Plage de réponse spectrale : 320 à 1000 nm - Longueur d'onde de sensibilité maximale (typ.) : 720 nm - Photosensibilité (typ.) : 0.36 A/W - Courant d'obscurité (max.) : 2 pA - Temps de montée (typ.) : 0.15 μs - Capacité des bornes (typ.) : 35 pF - Puissance équivalente de bruit (typ.) : 1.6×10-15 W/Hz1/2 - Conditions de mesure : Ta=25 ℃, Typ., Photosensibilité : λ=720 nm, Courant d'obscurité : VR=10 mV, Capacité aux bornes : VR=0 V, f=10 kHz, sauf indication contraire