Photodiode silicium S1114 series

Photodiodes pour la détection des faisceaux d'électrons Photodiodes pour la détection des électrons rétrodiffusés dans les microscopes électroniques à balayage (MEB). S11141-10 Haute sensibilité, détection directe de faisceaux d'électrons de faible énergie (1 keV ou plus) Caractéristiques -Détection directe de faisceaux d'électrons de faible énergie (1 keV ou plus) avec une sensibilité élevée -Gain élevé : 300 fois efficacité de détection élevée : 72 % (énergie des électrons incidents : 1,5 keV) -Grande taille de la zone photosensible : 10 × 10 mm -trou φ2.0 mm au centre de la zone photosensible -Boîtier en céramique mince -Utilise une carte de câblage faite de matériaux moins magnétiques S11142-10 Haute sensibilité, détection directe de faisceaux d'électrons de faible énergie (1 keV ou plus) Caractéristiques -Détection directe de faisceaux d'électrons de faible énergie (1 keV ou plus) avec une sensibilité élevée -Gain élevé : 300 fois efficacité de détection élevée : 72 % (énergie des électrons incidents : 1,5 keV) -Grande taille de la zone photosensible : 14 × 14 mm -trou φ2.0 mm au centre de la zone photosensible -photodiode à 4 éléments -Boîtier en céramique mince -Utilise une carte de câblage composée de matériaux moins magnétiques