Photodiode silicium S14644-02
LIDAR

Photodiode silicium - S14644-02 - HAMAMATSU - LIDAR
Photodiode silicium - S14644-02 - HAMAMATSU - LIDAR
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Caractéristiques

Spécifications
silicium, LIDAR

Description

APD Si compact et rapide pour LiDAR (bande 800 nm) avec fonctionnement à faible polarisation Cet APD au Si est adapté à la détection de la lumière dans la bande 800 nm, qui est de plus en plus utilisée dans les télémètres optiques. Avec la même forme que le produit précédent (série S10341), cet APD au Si présente une moindre variation de la tension de claquage, un courant d'obscurité réduit et des températures de stockage et de fonctionnement étendues. Caractéristiques - Petit boîtier : 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Longueur d'onde de sensibilité maximale : 800 nm (M=100) - Fonctionnement à faible polarisation : Tension de claquage=180 V max. - Réponse à haute vitesse : Fréquence de coupure=1,2 GHz typ. (λ=800 nm, M=100) - Réduction de la variation de la tension de claquage : 160 ± 20 V Spécifications - Type : Pour LiDAR - (bande 800 nm, fonctionnement à faible polarisation) - Zone photosensible : φ0.2 mm - Emballage : Plastique - Catégorie de boîtier : Type de montage en surface - Longueur d'onde de sensibilité maximale (typ.) : 800 nm - Plage de réponse spectrale : 400 à 1000 nm - Photosensibilité (typ.) : 0.52 A/W - Courant d'obscurité (max.) : 0.3 nA - Fréquence de coupure (typ.) : 1200 MHz - Capacité aux bornes (typ.) : 0.6 pF - Tension de claquage (typ.) : 160 V - Coefficient de température de la tension de claquage (typ.) : 0.63 V/℃ - Gain (typ.) : 100

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