Photodiode infrarouge S15137

PIN

Photodiode au silicium pour la photométrie du visible à l'infrarouge Le S15137 est une photodiode Si PIN développée pour les lasers YAG (1,06 µm). La photosensibilité à 1,06 µm est de 0,52 A/W (typ.), ce qui est environ 1,5 fois plus élevé que celui des produits précédents. La structure PIN permet une réponse à grande vitesse et une faible capacité. La zone photosensible est aussi grande que φ5 mm, ce qui facilite l'alignement des axes optiques. Caractéristiques -Haute sensibilité dans la région infrarouge : 0,52 A/W (λ=1,06 µm) -Réponse à grande vitesse : tr=12,5 ns (VR=100 V) -Faible capacité : Ct=10 pF (VR=100 V) -Grande zone photosensible : φ5 mm -Haute fiabilité : Emballage métallique TO-8 Spécifications Zone photosensible : φ5.0 mm Nombre d'éléments : 1 Emballage : Métal Catégorie de colis : TO-8 Refroidissement : non refroidi Tension inverse (max.) : 150 V Plage de réponse spectrale : 360 à 1120 nm Longueur d'onde de sensibilité maximale (typ.) : 1000 nm Photosensibilité (typ.) : 0,52 A/W Courant d'obscurité (max.) : 10000 pA Temps de montée (typ.) : 0.0125 μs Capacité terminale (typ.) : 10 pF Condition de mesure : Ta=25 ℃, Typ., Photosensibilité : λ=1060 nm, Courant sombre : VR=100 V, Temps de montée : VR=100 V, RL=50 Ω, λ=1060 nm, 10 ～ 90%, Capacité aux bornes : VR=100 V, f=10 kHz, sauf indication contraire