Photodiode silicium S14537 series
PIN

Photodiode silicium - S14537 series - HAMAMATSU - PIN
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Caractéristiques

Spécifications
silicium
Montage
PIN

Description

Détecteurs de particules de haute énergie en Si Les photodiodes de grande surface de la série S14537 sont spécialement conçues pour la détection directe des particules chargées de haute énergie et des rayons X. Ces détecteurs sont montés sur une carte PC avec une ouverture pour la détection des particules chargées et des rayons X ΔE/E. Caractéristiques -Grande superficie -Faible courant d'obscurité -Tolérance à la haute tension S14537-320 Spécifications Zone photosensible : 28 × 28 mm Épaisseur des copeaux : 320 ± 15 μm Épaisseur de la couche morte (face avant) : 1,5 μm Epaisseur de la couche morte (face arrière) : 20 μm Tension d'appauvrissement maximale : 100 V Courant sombre max. : 50 nA Fréquence de coupure : 8 MHz Capacité terminale : 300 pF S14537-500 Spécifications Zone photosensible : 28 × 28 mm Épaisseur des copeaux : 320 ± 15 μm Épaisseur de la couche morte (face avant) : 1,5 μm Epaisseur de la couche morte (face arrière) : 20 μm Tension d'appauvrissement maximale : 100 V Courant sombre max. : 50 nA Fréquence de coupure : 8 MHz Capacité terminale : 300 pF

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.