Photodiode InGaAs G14858-0020AA
avalanche

Photodiode InGaAs - G14858-0020AA - HAMAMATSU - avalanche
Photodiode InGaAs - G14858-0020AA - HAMAMATSU - avalanche
Ajouter à mes favoris
Ajouter au comparateur
 

Caractéristiques

Spécifications
InGaAs, avalanche

Description

InGaAs APD qui réduit considérablement le courant d'obscurité Cette APD (photodiode à avalanche) InGaAs réduit considérablement le courant d'obscurité par rapport aux produits existants grâce à l'utilisation d'une nouvelle structure de dispositif et à un traitement amélioré. Le G14858-0020AA est utilisé pour la mesure de distance, la détection de faible niveau de lumière, etc. Caractéristiques - Faible courant d'obscurité - Faible capacité - Haute sensibilité Spécifications Nombre d'éléments : 1 Zone photosensible : φ0.2 mm Paquet : Métal Catégorie de paquet : TO-18 Plage de réponse spectrale : 950 à 1700 nm Longueur d'onde de sensibilité maximale (typ.) : 1550 nm Photosensibilité (typ.) : 0,8 A/W Courant sombre (max.) : 50 nA Fréquence de coupure (typ.) : 900 MHz Capacité terminale (typ.) : 2 pF Tension de claquage (typ.) : 65 V Coefficient de température de la tension de claquage (typ.) : 0,1 V/℃ Condition de mesure : Ta=25℃, Photosensibilité : λ=1.55 μm, M=1

---

Catalogues

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.