Photodiode infrarouge S16008-33
silicium

Photodiode infrarouge - S16008-33 - HAMAMATSU - silicium
Photodiode infrarouge - S16008-33 - HAMAMATSU - silicium
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Caractéristiques

Spécifications
silicium, infrarouge

Description

Photodiode pour la photométrie générale dans le domaine du visible et du proche infrarouge Le S16008-33 est une photodiode de type Si pour montage en surface, avec une haute sensibilité dans le domaine du visible et du proche infrarouge. Elle offre une sensibilité plus élevée que la précédente série S2387. Caractéristiques -Haute sensibilité dans le domaine du visible et du proche infrarouge -Faible courant d'obscurité -Linéarité supérieure -Compatible avec la refusion de soudure sans plomb Spécifications Zone photosensible : 2,4 × 2,4 mm Nombre d'éléments : 1 Emballage : Verre époxy Catégorie de colis : Type de montage en surface Refroidissement : non refroidi Plage de réponse spectrale : 380 à 1100 nm Longueur d'onde de sensibilité maximale (typ.) : 960 nm Photosensibilité (typ.) : 0,64 A/W Courant d'obscurité (max.) : 5 pA Temps de montée (typ.) : 1,5 μs Capacité terminale (typ.) : 700 pF Puissance équivalente au bruit (typ.) : 9,0 × 10-16 W/Hz1/2 Condition de mesure : Ta=25 ℃, Typ., Photosensibilité : λ=λp, Courant d'obscurité : VR=10 V, Temps de montée : VR=0 V, RL=1 kΩ, 10 à 90%, Capacité aux bornes : VR=0 V, f=10 kHz, Puissance équivalente au bruit : VR=0 V, λ=λp, sauf indication contraire

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Catalogues

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.