Carte mère SSI EEB GA-7PPSH

Intel® Xeon E5-2600Intel® Xeon E5-2600V2Intel® C602

Carte mère haut de gamme pour serveur à double socket, principalement destinée aux entreprises qui ont besoin de performances informatiques élevées dans les environnements de serveurs et de centres de données. Déployable par une simple mise à jour du BIOS, la prise en charge des familles de produits Intel Xeon E5-1600 V2 & 2600 V2 offre les avantages de la technologie du processus tri-gate 22nm à l'industrie des serveurs haut de gamme. Ces avantages comprennent, entre autres, des fréquences plus élevées, un plus grand nombre de cœurs (jusqu'à 12 cœurs / 24 threads) et des caches de dernier niveau plus importants, mais surtout un mélange beaucoup plus varié de cœurs/fréquences avec notamment l'introduction d'un nouveau segment de stations de travail à double socket. Cette nouvelle réduction de la taille de la puce permet également d'augmenter l'efficacité énergétique globale, avec une réduction moyenne de 30 % de la consommation d'énergie en mode veille. Enfin, les applications de virtualisation bénéficieront de performances accrues grâce à la technologie APIC (Advanced Programmable Interrupt Controller), et davantage de fonctions de sécurité sont également incluses, telles que la technologie Intel® Platform Protection Technology avec OS Guard, et la technologie Intel® Data Protection Technology avec Secure Key. Toujours désireux d'aller au-delà des standards de l'industrie, l'ingénierie de GIGABYTE a permis, grâce à ses capacités de conception, d'agencement de PCB et de réglage fin du BIOS, de supporter une fréquence mémoire de 1866 MHz fonctionnant avec une population DIMM plus élevée (8 DIMM par socket), alors que le standard d'Intel et les autres produits du marché opèrent généralement un downgrade de la vitesse mémoire et supportent 1866 MHz avec une population DIMM plus basse seulement (4 DIMM par socket). GIGABYTE propose donc dès le lancement de ses produits basés sur le socket 2011 cette caractéristique unique qui profitera aux applications à haute densité et à forte intensité de mémoire