Sonde anti-effraction |Z| Probe® Power

de réflexion

La demande d'accès à un contenu riche partout dans le monde stimule la croissance de la transmission d'informations sans fil. Cela accroît le besoin de dispositifs de puissance RF dans les systèmes sans fil et de nouvelles technologies telles que le GaN et le SiC. Il est donc nécessaire de caractériser ces nouvelles technologies au niveau des plaquettes, ce qui réduit considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux modèles. Ces modèles sont utilisés pour la conception de nouveaux dispositifs, qui sont ensuite mis en œuvre dans des systèmes de transmission sans fil (stations de base, satellites, etc.) afin de répondre aux exigences des consommateurs avides de contenu. Pour fournir une caractérisation très précise des dispositifs de puissance RF au niveau de la tranche, la sonde |Z| Probe® Power, basée sur la technologie éprouvée |Z| Probe, gère les fortes puissances à hautes fréquences (jusqu'à 40 GHz). La |Z| Probe Power offre une excellente répétabilité de contact et une résistance de contact extrêmement faible pour fournir des résultats précis dans les configurations de mesure load-pull, qui sont typiques pour la caractérisation des dispositifs de puissance RF. Étant donné que la perte d'insertion doit être maintenue à un faible niveau dans les mesures de type load-pull et de paramètres de bruit pour garantir un coefficient de réflexion élevé (Γ), la |Z| Probe Power a été conçue pour offrir une perte d'insertion extrêmement faible. Cela signifie que vous obtenez des mesures plus précises, notamment pour les impédances autres que 50 Ω.