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Module transistors IGBT SNXH800H120L7QDSG
de puissancede commutation

Module transistors IGBT - SNXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - de puissance / de commutation
Module transistors IGBT - SNXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - de puissance / de commutation
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de commutation, de puissance
Courant

800 A

Tension

1 200 V

Description

Le SNXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet aux concepteurs d'obtenir un rendement élevé et une fiabilité supérieure. Applications Conversion DC-AC Conversion DC-DC Conversion AC-DC Produits finis Véhicules agricoles commerciaux (CAV) Caractéristiques IGBTs Trench 7 et diodes Gen.7 avec arrêt sur site module de puissance IGBT 2 en 1 à configuration demi-pont Plaque de base isolée Thermistance NTC Broches à souder Disposition à faible induction

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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