Devenir exposant
*mydirectindustry  
Français
  1. Électricité - Électronique
  2. Composant Électronique
  3. Transistor IGBT
  4. Fairchild Semiconductor
video corpo

Module transistors IGBT NXH800H120L7QDSG
de puissancede commutation

Module transistors IGBT - NXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - de puissance / de commutation
Module transistors IGBT - NXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - de puissance / de commutation
Ajouter à mes favoris
Ajouter au comparateur
 

Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de commutation, de puissance
Courant

800 A

Tension

1 200 V

Description

Le NXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet aux concepteurs d'obtenir un rendement élevé et une fiabilité supérieure. Applications Conversion DC-AC Conversion DC-DC Conversion AC-DC Produits finaux Systèmes de stockage d'énergie Onduleurs solaires Motor Drives Systèmes d'alimentation sans interruption (ASI) Caractéristiques IGBTs Trench 7 et diodes Gen.7 avec arrêt sur site module d'alimentation IGBT 2 en 1 à configuration demi-pont Plaque de base isolée Thermistance NTC Broches à souder Disposition à faible induction

---

Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

Catalogues

Aucun catalogue n’est disponible pour ce produit.

Voir tous les catalogues de Fairchild Semiconductor

Autres produits Fairchild Semiconductor

Discrete & Power Modules

Voir tous les produits Fairchild Semiconductor
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.