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Module transistors IGBT NXH800H120L7QDSGde puissancede commutation
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de commutation, de puissance
- Courant
800 A
- Tension
1 200 V
Description
Le NXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet aux concepteurs d'obtenir un rendement élevé et une fiabilité supérieure.
Applications
Conversion DC-AC
Conversion DC-DC
Conversion AC-DC
Produits finaux
Systèmes de stockage d'énergie
Onduleurs solaires
Motor Drives
Systèmes d'alimentation sans interruption (ASI)
Caractéristiques
IGBTs Trench 7 et diodes Gen.7 avec arrêt sur site
module d'alimentation IGBT 2 en 1 à configuration demi-pont
Plaque de base isolée
Thermistance NTC
Broches à souder
Disposition à faible induction
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Catalogues
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.