La famille SRAM série d'ON Semiconductor comprend plusieurs mémoires intégrées dont cette mémoire statique à accès aléatoire en série de 1Mb, organisée en interne en 128 K mots par 8 bi t s. Les dispositifs sont conçus et fabriqués en utilisant la technologie CMOS avancée d'ON Semiconductor pour fournir à la fois des performances à haute vitesse et une faible consommation d'énergie. Les dispositifs fonctionnent avec une seule entrée de sélection de puce (CS) et utilisent un protocole simple d'interface périphérique série (SPI). En mode SPI, une seule ligne d'entrée de données (SI) et de sortie de données (SO) est utilisée avec l'horloge (SCK) pour accéder aux données à l'intérieur du dispositif. En mode DUAL, deux lignes d'entrée/sortie de données multiplexées (SIO0-SIO1) sont utilisées et en mode QUAD, quatre lignes d'entrée/sortie de données multiplexées (SIO0-SIO3) sont utilisées avec l'horloge pour accéder à la mémoire.Les dispositifs peuvent fonctionner sur une large plage de température de -40°C à+85°C et sont disponibles dans un boîtier TSSOP à 8 pattes.
Produits finis
Moniteur de patient
Compteur intelligent
Dispositif de surveillance cardiaque
Enregistreur d'événements
Système d'alarme
Interface MP3 pour automobiles
Dispositif de surveillance médicale
Contrôleur de jeu
Mémoire tampon pour caméra IP
Chargeur de batterie
Système de réception laser
Système de suivi des délinquants par GPS
Contrôleur logique programmable
Radio IP
Caractéristiques
Plage d'alimentation : 1.7 à 2,2 V
Courant de veille typique très faible : <1 µA
Très faible courant de fonctionnement < 10 mA
Interface série simple :
- Accès SPI à un seul bit
- Accès SPI DUAL-bit et QUAD-bit
Modes de fonctionnement flexibles - mode mot - mode page - mode rafale (tableau complet)
Fonctionnement en lecture et écriture à haute fréquence
- Fréquence d'horloge 20 MHz
Protection contre l'écriture intégrée (CS High)
Fiabilité élevée - Cycles d'écriture illimités
Ces dispositifs sont exempts de plomb et conformes à la directive RoHS - TSSOP vert
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