Machine de traitement de surface par plasma EVG®810LT LowTemp™

Le système d'activation par plasma EVG810LT LowTemp™ est une unité autonome à chambre unique à commande manuelle. La chambre de traitement permet des traitements ex situ (les plaquettes sont activées une par une et collées à l'extérieur de la chambre d'activation plasma). Caractéristiques Activation par plasma de surface pour le collage à basse température (collage fusion/moléculaire et couche intermédiaire) Cinétique la plus rapide de tous les mécanismes de collage de wafers Aucun procédé humide n'est nécessaire Résistance d'adhérence maximale lors d'un recuit à basse température (jusqu'à 400°C) Applicable pour le collage de SOI, MEMC, semi-conducteurs composés et substrats avancés Haut degré de compatibilité des matériaux (y compris CMOS) Caractéristiques techniques Diamètre de la plaquette (taille du substrat) 50 - 200, 100 - 300 mm LowTemp™ Chambre d'activation plasma Gaz de process : 2 gaz de process standard (N2 et O2) Régulateur de débit massique universel : auto-calibrant (jusqu'à 20.000 sccm) Système de vide : 9x10-2 mbar Ouverture / fermeture de la chambre : automatisée Chargement / déchargement de la chambre : manuel (wafer / substrat placé sur les broches de chargement) Caractéristiques optionnelles Mandrin de serrage pour différentes tailles de plaquettes Activation sans ions métalliques Gaz de process supplémentaires avec mélange de gaz Système de vide poussé avec turbopompe : 9x10-3 mbar pression de base