Puce mémoire NAND 69FxxG16

asynchrone

Les flashes NAND haute densité DDC 64, 128 et 256 Go disposent d'un bus large x16. Ce flash NAND utilise la technologie NAND à cellule mononiveau (SLC). En stockant 1 bit de données par cellule mémoire, SLC NAND offre des capacités de lecture et d'écriture rapides ainsi que des temps de démarrage, une excellente endurance et fiabilité. La technologie d'emballage brevetée RAD-PAK de DDC intègre un blindage contre les rayonnements dans le boîtier du microcircuit. Il élimine le besoin de blindage de la boîte, tout en fournissant le blindage contre le rayonnement nécessaire pour toute une vie en orbite ou en mission spatiale. RAD-PAK offre une tolérance de dose totale supérieure à 100 krads(Si), selon la mission spatiale. Ce produit est disponible avec un blindage jusqu'à la classe S définie par DDC Microelectronics. Haute densité 64, 128 ou 256 Go Prend en charge les conceptions à plus grande vitesse avec moins de capacité/moins d'entrées/sorties à piloter Interface NAND Flash Technologie de cellule à un seul niveau (SLC) ONFI 2.2 Conforme Tension de fonctionnement VCC 3.0 à 3.6V VCCQ 1.7 à 1.95V ou 3.0 à 3.6V Taille de la page 8640 octets (8192 + 448 octets de réserve) Supporte les algorithmes de correction BCH externes (16 bits de correction par 540 octets) Caractéristiques Stockage de données très fiable pour des applications spatiales exigeantes Emballage hermétique en céramique avec blindage TID intégré Classe E, I, H ou K Vitesse Jusqu'au mode de chronométrage asynchrone 5 (50MT/sec) Plage de température -55°C à 125°C Endurance 60 000 cycles typiques