Microscope électronique à balayage à émission de champ HEM6000
de laboratoirepour l'analyse de matériaupour semi-conducteur

Microscope électronique à balayage à émission de champ - HEM6000 - CIQTEK Co., Ltd. - de laboratoire / pour l'analyse de matériau / pour semi-conducteur
Microscope électronique à balayage à émission de champ - HEM6000 - CIQTEK Co., Ltd. - de laboratoire / pour l'analyse de matériau / pour semi-conducteur
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Caractéristiques

Type
électronique à balayage à émission de champ
Applications
de laboratoire, pour l'analyse de matériau, pour semi-conducteur, pour la géologie
Ergonomie
droit
Technique d'observation
à champ clair
Configuration
au sol
Source d'électrons
Schottky à émission de champ
Conception de lentille
à immersion
Type de détecteur
in-lens SE, d'électrons rétrodiffusés
Options et accessoires
assisté par ordinateur
Autres caractéristiques
haute résolution, à grand champ de vision et distance de travail, automatisé, à haute vitesse, pour semi-conducteur, ultra haute résolution
Grossissement

Max: 1 000 000 unit

Min: 66 unit

Résolution spatiale

Max: 1,5 nm

Min: 0,9 nm

1,3 nm

Longueur

1 716 mm
(67,6 in)

Largeur

1 235 mm
(48,6 in)

Description

Microscope électronique à balayage à grande vitesse pour l'imagerie transversale d'échantillons de grand volume Le CIQTEK HEM6000 utilise des technologies telles que le canon à électrons à grand faisceau de haute luminosité, le système de déviation du faisceau d'électrons à grande vitesse, la décélération de la platine de l'échantillon à haute tension, l'axe optique dynamique et l'objectif combo électromagnétique et électrostatique à immersion pour obtenir une acquisition d'images à grande vitesse tout en garantissant une résolution à l'échelle nanométrique. Le processus d'opération automatisé est conçu pour des applications telles qu'un flux de travail d'imagerie haute résolution plus efficace et plus intelligent sur de grandes surfaces. La vitesse d'imagerie peut atteindre plus de 5 fois celle d'un microscope électronique à balayage à émission de champ conventionnel (fesem). 1. Vitesse d'acquisition des images:10 ns/pixel,2*100 M pixel/s 2. Résolution:1,3 nm@3 kV, SE ; 1,5 nm@1 kV, SE,0,9 nm@ 30 kV, STEM 3. Tension d'accélération:0,1 kV~6 kV (mode décélération),6 kV~30 kV (mode non décélération) 4. Champ de vision:Maximum 1*1 mm2,haute résolution distorsion minimale 64*64 um2 5. Répétabilité de la platine:X ±0,6 um,Y ±0,3 um 6. Système de filtrage des électrons du signal:SE/BSE commutation sans signal, mélange avec rapport réglable 7. Système de déflexion de faisceau entièrement électrostatique à grande vitesse:Imagerie haute résolution à grand champ réalisable Maximum. Champ de vision jusqu'à 32um*32 um à 4 nm par pixel 8. Technologie de décélération de l'étage d'échantillonnage:Réduction de la tension d'atterrissage des électrons incidents, augmentation de l'efficacité de capture des électrons du signal 9.Système de déviation du faisceau de l'objectif à immersion électromagnétique et électrostatique combinée:Le champ magnétique de l'objectif immerge l'échantillon, contribuant à l'imagerie haute résolution à faible aberration

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.