MOSFET CDM22010-650

DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CDM22010-650 est un MOSFET de puissance à canal N de 650 volts et à courant élevé, conçu pour des applications à haute tension et à commutation rapide, telles que la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les onduleurs de puissance. Ce MOSFET combine une capacité haute tension avec un faible rDS(ON), une faible tension de seuil et une faible charge de grille. CODE DE MARQUAGE : CDM10-650 DEMANDES : - Correction du facteur de puissance - Moteurs - Onduleurs d'énergie alternative - Éclairage à l'état solide CARACTÉRISTIQUES : - Capacité haute tension (VDS=650V) - Faible charge d'entrée (Qgs=8.0nC) - Faible rDS(ON) (0.88Ω)