- Électricité - Électronique
- Composant Électronique
- Transistor FET
- Central Semiconductor
- Produits
- Catalogues
- News & Trends
- Salons
Transistor FET CMPFJ175en silicium
Ajouter à mes favoris
Ajouter au comparateur
Caractéristiques
- Type
- FET
- Autres caractéristiques
- en silicium
Description
DESCRIPTION :
Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPFJ175 et CMPFJ176 sont des JFETs à canal P moulés en époxy
fabriqué dans un boîtier SOT-23, conçu pour des applications d'amplification à bas niveau.
LE MARQUAGE DES CODES
CMPFJ175 : 6W
CMPFJ176 : 6X
---
Catalogues
Recherches associées
- Diode
- Module transistors
- Diode de redressement
- Diode de tension
- Module transistors de puissance
- Diode en silicium
- Diode haute tension
- Diode pour montage en surface
- Module transistors de commutation
- Diode à grande vitesse de commutation
- Transistor à effet de champ
- Module transistors MOSFET
- Transistor bipolaire
- Diode à jonction PN
- Pont redresseur à diodes
- Diode Schottky
- Matrice de diodes
- Diode de courant
- Module transistors en silicium
- Diode de commutation
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.